ZXM62P03E6
Typical Characteristics
ZXM62P03E6
Document Number: DS33483 Rev. 2 - 2
3 of 7
www.diodes.com
December 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料
ZXM64N02XTC MOSFET N-CHAN 20V MSOP8
ZXM64N035L3 MOSFET N-CH 35V 13A TO-220-3
ZXM64P02XTC MOSFET P-CHAN 20V MSOP8
ZXM64P035L3 MOSFET P-CH 35V 12A TO-220-3
ZXM64P03XTC MOSFET P-CHAN 30V MSOP8
ZXM66P02N8TC MOSFET P-CHAN 20V 8SOIC
ZXM66P03N8TA MOSFET P-CH 30V 7.9A 8-SOIC
ZXMC10A816N8TC MOSFET DUAL COMPL 100V 8-SOIC
相关代理商/技术参数
ZXM62P03E6TC 功能描述:MOSFET 30V P Chnl HDMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ZXM62P03G 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXM62P03GTA 功能描述:MOSFET 30V P-Chnl HDMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ZXM62P03GTC 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXM63C02 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:20V Dual N and P-Channel Enhancement Mode Mosfet
ZXM63N02E6TA 功能描述:MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23-6 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
ZXM63N03NXTA 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXM63N03NXTC 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET